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    公司動態

    8-羥基喹啉衍生物的光致發光機制及其量子產率優化

    發表時間:2025-11-05

    8-羥基喹啉衍生物的光致發光源于分子內“激發態躍遷-能量傳遞”過程,量子產率優化可通過分子結構修飾、聚集態調控及環境優化實現,其機制與優化策略高度依賴分子共軛體系與激發態行為,具體解析如下:

    一、光致發光機制

    8-羥基喹啉衍生物的光致發光(PL)核心是分子激發態的輻射躍遷,需經歷“光吸收-激發態形成-能量耗散-輻射發光”四個階段,關鍵機制可分為兩類:

    1. 分子內電荷轉移(ICT)主導的發光機制

    多數8-羥基喹啉衍生物(如金屬配合物、氨基/氰基取代衍生物)通過ICT過程發光,這是很常見的機制:

    光吸收與激發:分子受紫外/可見光照射時,極高占據分子軌道(HOMO)上的電子吸收光子能量,躍遷至低未占據分子軌道(LUMO),形成單重激發態(S₁);部分電子還可通過系間竄越(ISC)躍遷至三重激發態(T₁)。

    ICT 過程發生:8-羥基喹啉母核的喹啉環為電子受體(缺電子),羥基(-OH)為電子給體(富電子);若引入額外給體(如-NH₂、-OCH₃)或受體(如-CN-NO₂),會強化分子內“給體→受體”的電荷轉移,使S₁態成為 ICT 激發態(電荷分離特征更顯著)。

    輻射躍遷發光:ICT激發態的電子通過兩種路徑釋放能量發光:

    單重激發態S₁直接躍遷至基態S₀,產生熒光(輻射躍遷概率高,發光壽命短,通常1-10ns);

    三重激發態T₁通過延遲熒光(如熱激活延遲熒光TADF,電子從T₁吸熱躍回S₁后再發光)或磷光(直接從T₁躍遷至S₀)發光,后者壽命更長(ms級),但量子產率通常低于熒光。

    2. 金屬配位增強的發光機制(以Al³⁺、Zn²⁺配合物為例)

    8-羥基喹啉可與金屬離子形成螯合物(如Alq₃、Znq₂),其發光機制因金屬離子的“重原子效應”與“配位穩定作用”發生改變:

    配位穩定激發態:金屬離子與8-羥基喹啉的ON 原子形成配位鍵,使分子共軛體系更剛性,減少激發態電子因分子振動/轉動導致的非輻射躍遷(非輻射躍遷會消耗能量,降低發光效率)。

    重原子效應調控ISC:重金屬離子(如 Ir³⁺、Pt²⁺)的自旋-軌道耦合作用增強,促進S₁→T₁的 ISC 過程,使三重激發態電子參與發光(如磷光或TADF),從而利用原本“浪費”的三重態能量,提升整體量子產率(如 Ir-8-羥基喹啉配合物的量子產率可達80%以上)。

    二、8-羥基喹啉衍生物量子產率的優化策略

    量子產率(Φ)=輻射躍遷速率/(輻射躍遷速率+非輻射躍遷速率),優化核心是“提升輻射速率”或“抑制非輻射速率”,具體策略分為三類:

    1. 分子結構修飾:強化共軛與電荷轉移

    通過化學修飾調整8-羥基喹啉母核的電子結構,直接提升輻射躍遷效率:

    擴展共軛體系:在喹啉環或羥基對位引入芳香環(如苯環、萘環)、共軛雙鍵(如-C=C-、-CC-),延長π電子離域范圍,使HOMOLUMO能級差縮小(發光波長紅移),同時提升電子躍遷概率(輻射速率加快),例如,萘基取代的8-羥基喹啉,量子產率比未取代衍生物提升 30%-50%。

    調控給體-受體(D-A)強度:引入強電子給體(如三苯胺、咔唑)或強受體(如苝酰亞胺、氰基苯并噻唑),構建“強 D-π-A”結構,強化 ICT 效應,使 S₁態以輻射躍遷為主(非輻射躍遷占比降低)。例如,三苯胺取代的8-羥基喹啉,量子產率可從母核的 10% 提升至 60% 以上。

    減少非輻射位點:去除分子中的柔性基團(如長鏈烷基、多支鏈取代基),或用剛性環(如環己烷、芴環)替代,降低分子振動/轉動導致的能量耗散,例如,甲基取代的8-羥基喹啉(剛性強)比己基取代衍生物(柔性強)的量子產率高 20%-30%。

    2. 聚集態調控:抑制聚集誘導猝滅(ACQ

    多數8-羥基喹啉衍生物在高濃度或固態下易聚集,導致π-π堆積過強,引發ACQ(非輻射躍遷增強,量子產率驟降),需通過聚集態優化解決:

    引入空間位阻基團:在分子中引入大體積基團(如叔丁基、三苯甲基),阻礙分子間緊密堆積,減少π-π相互作用導致的能量猝滅。例如,叔丁基取代的 Znq₂配合物,固態量子產率從無取代的5%提升至35%。

    構建聚集誘導發光(AIE)結構:將8-羥基喹啉與 AIE 單元(如四苯乙烯、三苯乙烯)結合,使分子在分散態時因振動/轉動導致非輻射躍遷強(量子產率低),聚集態時振動/轉動受限(非輻射躍遷減弱,量子產率升高)。例如,四苯乙烯-8-羥基喹啉衍生物,聚集態量子產率可達75%以上。

    制備納米晶或薄膜:通過溶液法(如旋涂、滴涂)制備超薄薄膜,或通過納米沉淀法制備納米晶(粒徑10-50nm),控制分子聚集程度(避免過度堆積),同時提升光吸收效率,例如,Alq₃納米晶的量子產率比塊狀晶體高 40%-60%

    3. 環境與基質優化:減少外部猝滅因素

    外部環境(如溶劑、溫度、雜質)會通過非輻射過程降低量子產率,需針對性優化:

    選擇合適溶劑:優先使用低極性、高沸點溶劑(如甲苯、氯仿),避免極性溶劑(如甲醇、水)與分子形成氫鍵或發生溶劑化作用,導致激發態能量耗散,例如,8-羥基喹啉在甲苯中的量子產率(25%)是在水中(5%)的5倍。

    控制溫度與氧氣濃度:低溫環境(如-196℃液氮中)可降低分子振動/轉動速率,減少非輻射躍遷;氧氣會猝滅三重激發態(通過能量轉移生成單線態氧),需在惰性氣體(如N₂、Ar)保護下使用,可使量子產率提升10%-20%。

    去除雜質與缺陷:通過柱層析、重結晶等方法提純衍生物,去除含重金屬離子(如Fe³⁺、Cu²⁺)或強猝滅基團(如-SH、-NO)的雜質;制備薄膜時減少缺陷(如針孔、晶界),避免缺陷作為非輻射躍遷中心。

    三、典型應用與優化效果案例

    不同優化策略的效果因衍生物類型而異,以下為兩類典型案例:

    Alq₃(8-羥基喹啉鋁):未優化時固態量子產率約10%-15%;通過“引入叔丁基位阻+制備納米薄膜”優化后,量子產率提升至50%-60%,廣泛用于有機電致發光器件(OLED)的發光層。

    氰基取代8-羥基喹啉:未優化時在溶液中量子產率約8%;通過“構建D-π-A結構(三苯胺給體+氰基受體)+惰性氣體保護”優化后,量子產率提升至70%以上,可用于熒光探針檢測金屬離子。

    8-羥基喹啉衍生物的光致發光以ICT或金屬配位機制為主,量子產率優化需圍繞“分子結構強化共軛、聚集態抑制ACQ、環境減少猝滅”展開。通過多策略協同(如結構修飾+聚集態調控),可將其量子產率從10%以下提升至80%以上,為 OLED、熒光探針、傳感器等領域的應用提供性能基礎。

    本文來源于黃驊市信諾立興精細化工股份有限公司官網 http://www.sgelg.cn/

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